Hersteller / Typ
- 3 Rasterelektronenmikroskope (Fa. JEOL): JSM-7800F, JSM 6610LV, JIB-4610F
Ausstattung / Technische Daten
- In-lens-Schottky Plus-Feldemissionselektronenkathode mit bis zu 400 nA Strahlstrom
- Beschleunigungsspannungen 10 V bis 30 kV
- Auflösung: 0,7 nm (1kV - 30kV Beschleunigungsspannung)
- Detektoren: Everhart-Thornley SE, in-lens SE und BSE, hochauflösende BSE-Detektor, STEM
- 5-achsige Drehtische, große Probenkammern
- „Low-Vacuum“-Betrieb für die Untersuchung schlecht leitender Proben
- EDX- und WDX-Mikroanalysesysteme (Fa. Oxford)
Methoden / Untersuchungsgebiete
- hochauflösende Charakterisierung der Morphologie von Oberflächen
- mikroskopische und nanoskalige Gefügeanalysen (Körner, Phasen, 2D- und 3D- Gitterfehler)
- hochauflösende Analyse von dünnen Schichten und modifizierten Randschichten
- Fraktographie
- Ermittlung der chemischen Zusammensetzung, einschließlich leichter Elemente (Be, B, C, N, O)
- 3D-Analytik von Werkstoffen Tomographie und 3D Rekonstruktionen; jeweils kombinierbar mit EDX und EBSD- Analysen