Analytische Rasterelektronenmikroskope

Hersteller / Typ

• 3 Rasterelektronenmikroskope (Fa. JEOL): JSM-7800F, JSM 6610LV, JIB-4610F

Ausstattung / Technische Daten

• In-lens-Schottky Plus-Feldemissionselektronenkathode mit bis zu 400 nA Strahlstrom
• Beschleunigungsspannungen 10 V bis 30 kV
• Auflösung: 0,7 nm (1kV - 30kV Beschleunigungsspannung)
• Detektoren: Everhart-Thornley SE, in-lens SE und BSE, hochauflösende BSE-Detektor, STEM
• 5-achsige Drehtische, große Probenkammern
• „Low-Vacuum“-Betrieb für die Untersuchung schlecht leitender Proben
• EDX- und WDX-Mikroanalysesysteme (Fa. Oxford)

Methoden / Untersuchungsgebiete

• hochauflösende Charakterisierung der Morphologie von Oberflächen
• mikroskopische und nanoskalige Gefügeanalysen (Körner, Phasen, 2D- und 3D- Gitterfehler)
• hochauflösende Analyse von dünnen Schichten und modifizierten Randschichten
• Fraktographie
• Ermittlung der chemischen Zusammensetzung, einschließlich leichter Elemente (Be, B, C, N, O)
• 3D-Analytik von Werkstoffen Tomographie und 3D Rekonstruktionen; jeweils kombinierbar mit EDX und EBSD- Analysen