Beschichtungsanlagen

Single Wafer Spin Processor (Laurell Technologies Corp.)

Single Wafer Spin Processor
© Fraunhofer IWS Dresden
Single Wafer Spin Processor

Mit der Spin-Coating Technologie können homogene und defektfreie Flüssigkeitsfilme aufgebracht werden. Durch das Rotationsaufschleudern der Flüssigkeit verteilt sie sich gleichmäßig auf dem Substrat. Der Spin-Coater kann für Beschichtungen, die Reinigung von Substraten und für Ätzvorgänge genutzt werden. Lösemittel, basische und saure Lösungen und Dispersionen können eingesetzt werden.


Ausstattung

  • Modell: WS-650Mz-8NPP-Lite Single Wafer Spin Processor (Laurell Technologies Corp.)
  • Prozesskammergröße: Ø 318 mm
  • Substratgrößen: bis zu Ø 200 mm, 178 mm x 178 mm, Dicke 0,1 - 1 mm
  • Geschwindigkeit: 100 - 1200 RPM

Ultraschall-Spray-Pyrolyse-Anlage

Ultraschall-Spray-Pyrolyse-Anlage mit gekühltem Ultraschall-Kopf und beheiztem Substratträger
© Fraunhofer IWS Dresden
Ultraschall-Spray-Pyrolyse-Anlage mit gekühltem Ultraschall-Kopf und beheiztem Substratträger

In der Ultraschallsprühanlage können großflächig und homogen Schichtsysteme auf Substrate mittels Pyrolyse oder nassem Sprühen aufgebracht werden. Ersteres erfordert hierbei eine für die Precursorlösung ausreichend hohe Substrattemperatur um den Übergang aller Bestandteile in den gasförmigen Zustand zu ermöglichen, die Schicht scheidet sich dann über eine chemische Gasphasenreaktion auf dem Substrat ab. Beim nassen Sprühen verbleibt nach dem Sprühprozess neben dem Schichtmaterial ein Lösemittelfilm auf dem Substrat, der in einem nachfolgenden Ausheizschritt verflüchtigt werden kann.

Unsere Aktivitäten auf diesem Gebiet führen vom großflächigen Sprühen von Oxidkeramiken (z. B. Aluminiumoxid als Passivierungsschicht für die Photovoltaik) und Halbleitern (wie ZnO:Al) über das Sprühen von Dispersionen z. B. aus CNTs zur Erzeugung transparenter leitfähiger Schichten.


Ausstattung

  • Ultraschall-Düsen (Sono Tek Corp.):
  • 120 kHz, Vortex, Tropfengröße 19 µm Durchmesser (Median) für Wasser
    Percursordurchflussrate: bis zu 1.5 ml/min, kreisförmiges Sprühmuster
  • 120 kHz, Breitstrahldüse
    Percursordurchflussrate: bis zu 10 ml/min - 70 ml/min, Sprühbreite: 5 - 60 cm
  • max. Substratgröße: bis zu 156 mm x 156 mm
  • max. Substrattemperatur: 450 °C
  • Abstand Düse-Substrat: bis zu 200 mm
  • Atmosphäre: Luft oder Stickstoff
  • Bewegungssystem für Düse: Düse verfahrbar in x- und y-Richtung mit max. 200 mm/s