Analytische Rasterelektronenmikroskope

Analytisches REM JSM-7800F
© Frank Höhler

Analytisches REM JSM-7800F

Hersteller / Typ

  • 3 Rasterelektronenmikroskope (Fa. JEOL): JSM-7800F, JSM 6610LV, JIB-4610F


Ausstattung / Technische Daten

  • In-lens-Schottky Plus-Feldemissionselektronenkathode mit bis zu 400 nA Strahlstrom
  • Beschleunigungsspannungen 10 V bis 30 kV
  • Auflösung: 0,7 nm (1kV - 30kV Beschleunigungsspannung)
  • Detektoren: Everhart-Thornley SE, in-lens SE und BSE, hochauflösende BSE-Detektor, STEM
  • 5-achsige Drehtische, große Probenkammern
  • „Low-Vacuum“-Betrieb für die Untersuchung schlecht leitender Proben
  • EDX- und WDX-Mikroanalysesysteme (Fa. Oxford)


Methoden / Untersuchungsgebiete

  • hochauflösende Charakterisierung der Morphologie von Oberflächen
  • mikroskopische und nanoskalige Gefügeanalysen (Körner, Phasen, 2D- und 3D- Gitterfehler)
  • hochauflösende Analyse von dünnen Schichten und modifizierten Randschichten
  • Fraktographie
  • Ermittlung der chemischen Zusammensetzung, einschließlich leichter Elemente (Be, B, C, N, O)
  • 3D-Analytik von Werkstoffen Tomographie und 3D Rekonstruktionen; jeweils kombinierbar mit EDX und EBSD- Analysen