UHV-Ionenstrahlsputteranlage

UHV-Ionenstrahlsputteranlage zur Nanometer-Präzisions-beschichtung und -ätzung

UHV-Ionenstrahlsputteranlage zur Nanometer-Präzisionsbeschichtung und -ätzung
© Fraunhofer IWS Dresden
UHV-Ionenstrahlsputteranlage zur Nanometer-Präzisionsbeschichtung und -ätzung
Prinzipskizze der geometrischen Anordnung von Ionenstrahlquellen, Targets und Substrat in der Ionenstrahl-Sputteranlage
© Fraunhofer IWS Dresden
Prinzipskizze der geometrischen Anordnung von Ionenstrahlquellen, Targets und Substrat in der Ionenstrahl-Sputteranlage

Technische Daten

  • Vakuum:
    - Prozesskammer: p < 2·10-8 mbar
    - Schleuse: p < 5·10-7 mbar
  • Substrate:
    - rund bis Ø = 200 mm
    - rechteckig bis L = 500 mm (ohne Spin)
  • Targets: 6 Stück, Größe: 400 x 200 mm2
  • Ionenstrahlquellen:
    - primär für Targetzerstäubung
    - sekundär für Assist- und Ätzbetrieb
    - Anregungsprinzip: ECR = Elektronenzyklotronresonanz
    - Größe: 400 x 100 mm2
    - Ionenenergien: E = 50 - 2000 eV
  • Blenden:
    - zur Strahlformung und Schichtdickenhomogenisierung
    - 4 Stück, automatisch wechselbar


Einsatzgebiete

  • Synthese von Nanometer-Einzel- und Multischichten für Röntgen- und EUV-Optiken
  • Herstellung von dielektrischen Multischichten für Laseroptiken


Schichteigenschaften

  • extrem geringe Mikrorauheiten im Bereich von σrms = 0,15 ... 0,3 nm
  • Homogenität: 99,0 - 99,9 % über Ø 200 mm
  • absorptionsfreie dielektrische Schichten im UV-IR-Spektralbereich