Thermische und plasmagestützte Abscheidung von Funktionsschichten

Thermische und plasmagestützte Abscheidung von Funktionsschichten (nm-Bereich)

REM-Aufnahme einer mikro- und makrostrukturierten SiO2-Haftvermittlerschicht
© Fraunhofer IWS Dresden
REM-Aufnahme einer mikro- und makrostrukturierten SiO2-Haftvermittlerschicht
REM-Aufnahme einer SiO2-Barriereschicht
© Fraunhofer IWS Dresden
REM-Aufnahme einer SiO2-Barriereschicht

Die Veredlung von Oberflächen durch den Auftrag von nanometerdünnen Funktionsschichten stellt oftmals eine kostengünstige und gleichzeitig technisch einfache Variante dar, um konkurrenzfähige Produkte herzustellen.

Das Fraunhofer IWS bietet die Abscheidung von Funktionsschichten mittels thermischer und plasmagestützter CVD-Verfahren bei Atmosphärendruck an.
Beispiele sind die Abscheidung von SiO2-, SiNx:H-, SiO2:CHx-, SiO2:OH, a-C:H- oder TiO2-Schichten für

  • erhöhte Kratz- und Verschleißfestigkeit
  • verbesserte Korrosionsbeständigkeit
  • verbesserte Haftung
  • verminderte Reflexion
  • selbst- oder leicht zu reinigende Oberflächen.

Diese Funktionsschichten können sowohl auf Bulkmaterialien wie Stahl, Aluminium, Glas, Halbleitern und Kunststoffen als auch auf Fasern abgeschieden werden.

Speziell für den Schichtauftrag niedrigschmelzender Pulver wurde ein plasmagestütztes Verfahren entwickelt, das dem thermischen Spritzen ähnelt, jedoch bei deutlich geringeren Temperaturen arbeitet. Daher eignet sich dieses Verfahren besonders für niedrigschmelzende oder sehr feine Beschichtungspulver sowie für die Beschichtung von temperatursensiblen Substraten / Bauteilen.