Chemische Gasphasenabscheidung bei Atmosphärendruck (AP-CVD)

Darstellung AP-CVD-Prozess
© Fraunhofer IWS Dresden
Darstellung AP-CVD-Prozess
Titandioxid-Dünnschicht auf Edelstahl in CVD-Beschichtungsanlage
© Fraunhofer IWS Dresden
Titandioxid-Dünnschicht auf Edelstahl in CVD-Beschichtungsanlage

Mittels Chemischer Gasphasenabscheidung lassen sich qualitativ hochwertige Materialien im Schichtdickenbereich von 10 nm - 20000 nm auf unterschiedlichsten Substraten herstellen. Die abgeschiedenen Materialien entstehen dabei aus Vorläuferverbindungen (Precursoren), welche aus der Gasphase ein gezieltes Schichtwachstum ermöglichen.

Neben der Abscheidung von kompakten Dünnschichten unterschiedlicher Materialien (z. B. TiO2, TiO2:Nb, SnO2, SnO2:F, SiO2,..) können auch geordnete Strukturen aus vertikal orientierten Kohlenstoffnanoröhren (VA-CNT) hergestellt werden.

Diese Prozesse beruhen auf Atmosphärendruckverfahren, mit den sich geringe Prozess- und Investitionskosten realisieren lassen. Die Schichtherstellung ist für einige Materialien auch bei niedrigen Substrattemperaturen (100 °C) möglich (für SiO2, TiO2) was die Beschichtung von temperatursensitiven Materialien ermöglicht.