Prinzip der Schichterzeugung

• Generierung gerichteter Ionenstrahlen in den Ionenquellen
• Zerstäubung des Targetmaterials durch Stoßprozesse zwischen den Teilchen der primäre Ionenquelle und den Targetatomen
• Kondensation der zerstäubten Teilchen auf der Substratoberfläche

Prozessbedingungen

• Vakuum: p ~ 2 x 10^-8 mbar
• Ionenquellen: primär für Targetzerstäubung, sekundär für Beeinflussung des Schichtwachstums (Assistbetrieb) oder Oberflächenmodifikation des Substrates (Reinigung, Glättung)
• Anregungsprinzip der Ionenquellen: Elektonenzyklotronresonanz (ECR)
• Anzahl der Targets: 6
• Targetgröße: 400 mm x 200 mm
• Substratgröße: schleusbar bis zu einem Durchmesser von 200 mm, größere Substrate bis zu einem Durchmesser von 500 mm werden per Hand über die Kammertür bestückt

Vorteile der IBSD mit linearen Ionenquellen

• große Flexibilität der Beschichtungsparameter
• gute Eignung für reaktive Sputterprozesse
• Schichten mit geringsten Defektdichten
• extrem glatte Schichten
• einfache Skalierbarkeit auf größere Substratgeometrien
• großflächig homogene Beschichtungen

Einsatzgebiete

• Herstellung ultraglatter Präzisionsschichten
• EUV-Reflexionsschichten auf nicht perfekt glatten Substratoberflächen
• Multischicht-Synchrotronoptiken
• Nanometer-Multischichten für Labor-Röntgenoptiken
• Wärmedämmschichten (ZrO₂, ...)
• XUV-Reflexionsschichten
• Monochromatoren für die Röntgenfluoreszenzanalyse
• dielektrische Multischichten mit hoher Zerstörschwelle (SiO₂/TiO₂, SiO₂/Al₂O₃, , ...)
• diamantartige Kohlenstoffschichten (DLC)